工作区：先是电阻，后成电流源
升高漏极电压，看两副面孔
曲线是栅极保持导通时画出的 Id-Vds 特性。漏极电压 Vds 小时，电流近乎成比例地直线上升。但 Vds 一到过驱动，曲线便像膝盖一样折平。亲手越过那个膝点。
截止与线性：导通的沟道是电阻
Vgs 低于阈值则无沟道、电流为零，即截止（D1）。沟道形成后，只加很小的漏极电压，沟道便是从源到漏近乎均匀的导电层。给该层加电压，电流按欧姆定律流动，近乎正比于 Vds。此时沟道电阻由栅极电压决定。即 MOSFET 是用电压改变阻值的电阻，数字开关的导通电阻或模拟开关正用此区。
夹断：漏极一侧的沟道关闭
升高 Vds，沿沟道从源到漏电位渐高。打开沟道的力是栅与沟道间的电压，而漏极附近沟道电位高，使该值渐减。当 Vds 达到过驱动 Vov = Vgs - Vth，在漏端栅-沟道电压恰好降到阈值，那里的沟道厚度变为零。沟道不再触及漏极的这种状态，就是夹断。
饱和：电流变平
越过夹断后再升 Vds，只把夹断点略向内移，而沟道所载电流几乎不变。于是电流变平，进入饱和区。此时电流大小不由 Vds 而由过驱动决定，遵循平方律 Id ≈ (1/2) k Vov²。MOSFET 像受 Vgs 控制的电流源的这个区，正是对应 BJT 活性区的放大之地。
回到第一屏
漏极电压低时曲线直直上升。那段里 MOSFET 是用栅极定值的电阻。把漏极电压升到过驱动，曲线在膝点折弯，那正是漏极一侧沟道末端夹断的瞬间。其上是再加电压电流也几乎不变的平坦饱和，那里 MOSFET 成为用 Vgs 定大小的电流源。一个器件即便保持导通，也有两副面孔：电阻与电流源。划出这界线的，是漏极电压是否达到过驱动。
接下来的脉络
在饱和区，MOSFET 是受 Vgs 控制的电流源。下一单元像 BJT 那样，只取出该工作点周围的小摆动并线性化。小栅极电压产生小漏极电流，那个比例常数就是 MOSFET 的跨导 gm。我们用 MOSFET 再走一遍通往放大的同一条路。