공통소스 증폭기: 같은 이득, 열린 입력
드레인 저항을 키워 이득을 만들어라
옅은 곡선은 게이트 입력 vin이고 굵은 곡선은 출력 vout이다. 드레인 저항 Rd를 키우면 출력이 점점 커지고, 입력이 오를 때 내려가는 반전 모양을 그린다. 게이트는 전류를 먹지 않으니 입력 신호는 고스란히 실린다.
게이트 신호가 드레인 전류를 흔든다
입력 신호를 게이트에 실으면 동작점 위에 작은 vgs가 더해진다. D3에서 본 대로 이 작은 전압은 드레인 신호 전류 id = gm vgs를 만든다. 중요한 차이가 여기 있다. 게이트는 절연되어 전류를 빨아들이지 않으므로, 앞에 있는 신호원은 아무 부담 없이 전압을 고스란히 게이트에 건다. BJT의 베이스가 전류를 요구했던 것과 정반대다.
그 전류가 Rd에서 전압이 되고 반전된다
이 드레인 신호 전류는 드레인 저항 Rd를 지난다. 옴의 법칙으로 Rd 양단 전압이 id Rd만큼 흔들린다. 출력은 드레인에서 뽑는데, 드레인 전압은 전원 Vdd에서 Id Rd를 뺀 값이다. 그래서 신호 전류가 늘면 드레인 전압은 오히려 내려간다. 입력이 오를 때 출력이 내려가는 반전 출력, vout = -id Rd다. 공통이미터(C4)에서 컬렉터가 했던 일을 여기서는 드레인이 똑같이 한다.
Av = -gm Rd, 그리고 열린 입력
id = gm vgs를 vout = -id Rd에 넣으면 전압 이득 Av = -gm Rd가 나온다. 공통이미터의 -gm Rc와 똑같은 꼴이다. 그러나 두 가지가 다르다. 첫째, MOSFET의 gm은 전류의 제곱근으로만 자라(D3) 보통 같은 전류에서 BJT보다 이득이 낮다. 둘째, 게이트가 절연되어 입력 임피던스가 거의 무한대라, 이 증폭기는 앞단에서 신호를 거의 빼앗지 않는다. 날것의 이득은 BJT에 양보하더라도, 앞단에 부담을 주지 않는 이 높은 입력 임피던스가 MOSFET 증폭기의 큰 강점이다.
첫 화면으로 돌아가서
드레인 저항을 키울수록 출력이 점점 커졌고, 입력이 오를 때마다 내려가 반전된 모양을 그렸다. 그 셈은 공통이미터와 똑같았다. 게이트의 작은 전압이 드레인 신호 전류 gm vgs가 되고, 그 전류가 드레인 저항 Rd를 지나며 전압이 되어 드레인 전압을 끌어내렸다. 둘을 곱한 -gm Rd가 전압 이득이다. 다른 점은 두 가지였다. MOSFET의 gm이 작아 날것의 이득은 낮지만, 절연 게이트 덕에 입력이 전류를 먹지 않아 앞단에 거의 부담을 주지 않는다. 큰 이득은 BJT에, 큰 입력 임피던스는 MOSFET에: 설계자는 이 둘 사이에서 고른다.
이어지는 흐름
지금까지 MOSFET을 아날로그 증폭에 썼다. 그러나 MOSFET이 세상을 바꾼 무대는 디지털이다. 다음 유닛에서는 NMOS와 PMOS를 위아래로 짝지어, 입력이 0이냐 1이냐에 따라 둘 중 하나만 켜지는 CMOS 인버터를 만든다. 출력이 완전히 뒤집히면서도, 정지 상태에서는 전류가 거의 흐르지 않아 전력을 거의 쓰지 않는다.