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D4 · MOSFET

コモンソース増幅器: 同じ利得、開いた入力

MOSFET小信号モデルを回路に差し込み電圧利得を作る。ドレイン抵抗を自分で大きくし、出力が反転して大きくなる様子が共通エミッタと同じ形でありながら、入力が全く負担を受けないことを見る。

ドレイン抵抗を大きくして利得を作る

薄い曲線がゲート入力vin、太い曲線が出力voutだ。ドレイン抵抗Rdを大きくすると出力が大きくなり、入力が上がると下がる反転した形を描く。ゲートは電流を食わないので入力信号はそのまま乗る。

ドレイン抵抗 RdRd = 2.0 kΩ
電圧利得 Av
Av = -gm Rd = -4
Rin ≈ ∞
Rdが小さい。同じドレイン電流が小さな抵抗で作る電圧が小さく、出力があまり大きくない。
利得が小さい

ゲート信号がドレイン電流を揺らす

入力信号をゲートに乗せると動作点の上に小さなvgsが足される。D3で見たとおり、この小さな電圧はドレイン信号電流id = gm vgsを作る。重要な違いがここにある。ゲートは絶縁され電流を吸わないので、前にある信号源は何の負担もなく電圧をそのままゲートにかける。BJTのベースが電流を要求したのと正反対だ。

その電流がRdで電圧になり反転する

このドレイン信号電流はドレイン抵抗Rdを通る。オームの法則でRd両端の電圧がid Rdだけ揺れる。出力はドレインから取り出すが、ドレイン電圧は電源VddからId Rdを引いた値だ。だから信号電流が増えるとドレイン電圧はむしろ下がる。入力が上がると出力が下がる反転出力、vout = -id Rdだ。共通エミッタ(C4)でコレクタがした仕事を、ここではドレインが同じくする。

Av = -gm Rd、そして開いた入力

id = gm vgsをvout = -id Rdに入れると電圧利得Av = -gm Rdが出る。共通エミッタの-gm Rcと全く同じ形だ。だが二つが異なる。第一に、MOSFETのgmは電流の平方根でしか伸びず(D3)、同じ電流では普通BJTより利得が低い。第二に、ゲートが絶縁され入力インピーダンスがほぼ無限大なので、この増幅器は前段から信号をほとんど奪わない。生の利得はBJTに譲っても、前段に負担をかけないこの高い入力インピーダンスがMOSFET増幅器の大きな強みだ。

観察vout = -id Rd
出力電圧は信号電流がRdで作る電圧で、符号が逆だ。
選ぶid = gm ?
ドレイン信号電流はトランスコンダクタンス掛けるゲート電圧だ。
空欄Av = voutvin = -gm ?
利得はトランスコンダクタンスとドレイン抵抗の積に負の符号だ。
自分でRin ≈ ?
絶縁ゲートなので入力インピーダンスはほぼ無限大だ。

最初の画面に戻ると

ドレイン抵抗を大きくするほど出力が大きくなり、入力が上がるたびに下がって反転した形を描いた。その計算は共通エミッタと全く同じだった。ゲートの小さな電圧がドレイン信号電流gm vgsになり、その電流がドレイン抵抗Rdを通って電圧になりドレイン電圧を引き下げた。二つを掛けた-gm Rdが電圧利得だ。異なる点は二つ。MOSFETのgmが小さく生の利得は低いが、絶縁ゲートのおかげで入力が電流を食わず前段にほとんど負担をかけない。大きな利得はBJTに、大きな入力インピーダンスはMOSFETに——設計者はこの二つの間で選ぶ。

コモンソース増幅器はMOSFET小信号モデル(D3)を回路に入れたものだ。ゲートの小さな信号vgsがドレイン電流id = gm vgsを作り、この電流がドレイン抵抗Rdに流れてvout = -id Rdを作る。電流が増えるとドレイン電圧が下がるので出力は反転する。電圧利得 Av = -gm Rdで共通エミッタ(C4)と同じ形だ。ただしMOSFETはgmが小さく利得は普通低いが、絶縁ゲートゆえ入力インピーダンスがほぼ無限大で前段に負担をかけない。

次へつながる流れ

これまでMOSFETをアナログ増幅に使った。だがMOSFETが世界を変えた舞台はデジタルだ。次のユニットではNMOSとPMOSを上下に組み、入力が0か1かで二つのうち一つだけが入るCMOSインバータを作る。出力が完全に反転しながらも、静止状態では電流がほとんど流れず電力をほとんど使わない。