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전력변환기
정류용 반도체 소자
Power Semiconductor Devices
전력 반도체, 전력의 교통 신호등
💡 왜 전력용 반도체가 필요할까?
교류를 직류로, 직류를 교류로 바꾸려면 전류의 흐름을 제어하는 '스위치'가 필요합니다
①일반 스위치는 초당 수만 번 ON/OFF가 불가능 → 반도체로 해결
②전력용 반도체 = 고전압·대전류를 다루는 초고속 전자 스위치
다이오드
SCR (사이리스터)
GTO
트라이액
IGBT
MOSFET
V-I 특성곡선
🔬 스위칭 특성을 눈으로 확인
다이오드는 순방향만 도통, SCR은 게이트 신호로 턴온 시점 제어
①IGBT/MOSFET은 게이트 전압으로 전류량 자체를 조절
②트라이액은 양방향 모두 도통 가능 → 교류 제어에 적합
소자별 제어 방식
다이오드
자기 정류 (제어 불가)
순방향 전압 인가 시 자동 도통, 역방향 시 차단
SCR (사이리스터)
게이트 턴온만 가능
게이트 펄스로 턴온 → 전류가 유지전류(I
H
) 이하로 떨어져야 턴오프
GTO
게이트 턴온 + 턴오프
큰 역게이트 전류로 강제 턴오프 가능 → 자기소호형 소자
IGBT
V
GE
로 턴온/턴오프
MOSFET의 고입력 임피던스 + BJT의 대전류 특성 결합
전력 반도체 소자 비교
소자
제어
스위칭
용도
다이오드
불가
-
정류
SCR
턴온만
느림
AC 위상제어
GTO
턴온/오프
보통
대용량 인버터
트라이액
양방향
느림
AC 전력제어
IGBT
턴온/오프
빠름
인버터/UPS
MOSFET
턴온/오프
매우빠름
고주파 DC-DC
⚡ 현대 전력변환의 핵심
IGBT = 중대용량(수백 kW~MW급)에서 가장 널리 사용
①MOSFET = 소용량 고주파(수십~수백 kHz)에 유리
②SCR = 대용량 위상제어(HVDC 등)에 여전히 사용
시험 포인트 총정리
SCR 구조
P-N-P-N 4층
게이트 턴온만 가능, 전류 제어로 턴오프
GTO
자기소호형
게이트 역전류로 턴오프 가능
IGBT
IGBT = MOSFET + BJT
고입력 임피던스 + 대전류
트라이액
양방향 SCR
교류 전력 제어 전용
🎯 시험 포인트
①SCR은 턴온만 가능하고, 턴오프는 전류가 유지전류 이하로 떨어져야 한다
②GTO는 게이트로 턴온·턴오프 모두 가능한 '자기소호형' 소자
③IGBT는 MOSFET의 고입력 임피던스와 BJT의 대전류 특성을 결합
④트라이액은 양방향 도통 가능 → AC 전력제어(조광기 등)에 사용
⑤스위칭 속도: MOSFET > IGBT > GTO > SCR 순서
📝 대표 기출문제
①[기출유형] SCR의 턴오프 조건은? (답: 애노드 전류가 유지전류 이하로 감소)
②[기출유형] 게이트 신호로 턴온과 턴오프 모두 가능한 소자는? (답: GTO)
③[기출유형] IGBT의 장점을 설명하시오. (답: MOSFET의 고입력 임피던스 + BJT의 대전류 용량)
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